细分领域竞争加剧 功率器件市场狼烟四起

　　作为功率器件中的新星，SiC仍然朝着更低功耗、更低成本的方向改善。钱宇峰表示，三菱电机已开始引入混合SiC产品，即IGBT芯片用传统的单晶硅，续流二极管用SiC，恢复特性特别好，开关频率高，节能效果更好。在30kHz的应用条件下，混合SiC产品的功耗可以降低50%，适合应用在医疗设备，如核磁共振和CT彩超等应用中。

　　在全SiC产品的研发上，因为比单晶硅的价钱贵好几倍，只能针对如日本新干线这种对产品要求极高，同时愿意承担费用的客户设计。在研发混合SiC产品时，三菱电机会把价格控制在同等电流等级单晶硅产品的两倍以内。他表示，目前制约因素确实是价格，预计至少5至8年才能商品化。

　　总体来看，三菱电机展望功率模块技术的发展方向，归结为三点：一是芯片薄，能降低功耗;二是封装散热性好，包括能承受更高的温度或提升电流密度，以拓展产品覆盖面;三是集成度高，如嵌入驱动电路，以提高使用可靠性。

　　国产功率器件加快发展步伐

　　在中国，为了适应大环境的需求，扶持相关企业的健康发展，国家在新能源、节能环保方面出台了一系列支持性的政策措施，在政府和市场的双重推动下，功率半导体行业正面临着重要的发展机遇。国内IGBT市场近年呈现出持续快速增长的势头，据不完全统计，至2013年末国内IGBT功率器件的市场规模将近70亿元人民币，同比增长大约15%左右;2013年至2015年，国内IGBT功率器件市场规模的年均复合增长率将达到18%左右。

　　意识到技术突破的重要性，对于国内本土功率器件厂商来说，实现尖端产品的国产化进程，打破国外技术的垄断显得尤为重要。值得一提的是，近日国内首个自主研发生产的“001号”8英寸IGBT专业芯片，在中国南车(601766,股吧)株洲所下线，并移交中国科技馆收藏。据透露，这条国内首条、世界上第二条8英寸IGBT专业芯片线将于今年下半年投产，标志着我国开始打破英飞凌、ABB、三菱电机等国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断，对保障国民经济安全和推动节能减排具有重大战略意义。

　　这条投资近15亿元的8英寸IGBT生产线首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。从全产业链来看，IGBT及其应用产业链价值高达万亿元。而且，它还涉及到电子材料(比如硅片)、电工材料、陶瓷结构件、散热器等相关配套产业，具有极强的产业拉动作用。据初步估算，如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中，每年可节约用电两千亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。

　　展望未来中国功率器件市场整体发展，钱宇峰强调2014年以后，这个市场肯定是向上。“中国经济的发展正朝消费类型转变，为了出行便利，带来对高铁和地铁的需求。政府也大力推动节能环保，倡导电动车，随着个别受欢迎车型出现后，相信电动汽车在中国的发展还是有希望的。在民生层面，特别是变频家电、变频空调的发展，仍然会给三菱电机的功率模块带来业务提升。对于太阳能领域的发展，不管产能过剩否，仍然会拉动内需。总的来说，功率器件会在电力牵引、变频家电、新能源，特别是电动汽车以及机器人或运动控制等市场有长足的发展。”他说。