GaN挑战硅器件市场 未来两年复合年增率将达80%

    由于GaN在LTE/WiMax领域的强劲渗透，Yole预测GaNRF晶体管市场到2010年将增长到1亿美元左右，而2008年约为3,000万美元。这意味着2008-2010年复合年增长率为80%。

    Yole预测，2012年GaN市场的研发比例将下降至6%，国防与卫星所占比例将上升至27%，3G基站所占比例将上升到31%，LTE和WiMax所占比例将上升到29%。广播市场将占4%。Yole没有预测2012年GaN市场将达到多大的规模。

    Yole化合物半导体项目经理PhilippeRoussel在声明中表示：“这些GaN器件目前正在挑战硅在工业领域中的主导地位，预计2008年工业领域中的功率半导体市场规模约为9亿美元。”

    直到2005年，硅LDMOS占2-GHz或更高频率上的高功率RF放大应用的比例约为90%，其余市场由GaAspHEMT技术占据。