把握实时脉搏 关注行业热点
您现在的位置:首页 > 新闻中心 > 新闻资讯 > 前沿技术 > 正文

SiGe半导体推出用于蓝牙/WiFi芯片组的RF开关/LNA 前端芯片

2010-05-14 11:22:56      365采购网新闻资讯中心
点击:

  SiGe半导体(SiGe Semiconductor) 5月12日宣布推出RF开关/LNA 前端芯片 (FEIC)SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计,能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力(如WiFi和蓝牙)不断增长的需求。

  SiGe半导体亚太区市场推广总监高国洪评论新产品时称:“我们推出的SE2601T产品,为客户提供了整合单刀三掷(SP3T) RF开关和WiFi接收路径LNA的单芯片解决方案。SE2601T集成在设备母板上或模块化解决方案中的多种分立功能,减少了电路板占位面积,并为今天之功能丰富的酷炫移动设备的设计人员提供了重要的优势。”

  SiGe半导体开发SE2601T,旨在使用集成式CMOS功率放大器(PA)来增强蓝牙/WiFi芯片组解决方案的性能和功能性。

  SE2601T充分利用了基于硅技术的RF解决方案的性能和功能集成优势。该器件通过在天线和RF接收器之间,放置广被CSR、Marvell、 Broadcom 和 Atheros等领先供应商的芯片组使用的高性能LNA,来扩大WiFi解决方案的连接范围。对于智能电话等嵌入式应用设备,由于WiFi解决方案的实体空间限制,LNA功能每每因而被删减,从而导致连接性能劣化。另外,有鉴于嵌入式应用设备因使用小尺寸天线而影响信号质量,LNA器件能够显著提高至关重要的WiFi接收系统的灵敏度。RF开关(支持蓝牙和802.11bgn功能之间的天线共享)通常是一个分立器件,需要额外的无源器件,因而占位空间多于集成式2601T解决方案。因此,SE2601T可大大减少为了增强WiFi性能所需的占位面积,同时支持蓝牙和WiFi功能的天线共享。

  从竞争角度来看,SE2601T通过采用基于硅技术的IC工艺集成了所需的DC阻隔电容,而基于砷化镓(GaA) 的竞争产品却需要外部电容,故占用了更多的电路板空间,并增加了WiFi解决方案的材料清单成本。

  SE2601T采用2x2mm QFN封装。1万片的订购价格为每片0.37美元。

上一篇:丹佛斯在太阳能展会上推出1000V逆变器
下一篇:我国成功掌握电流互感器现场准确度校验技术

分享到:
收藏