国半新推低噪声线性稳压器，采用LLP封装

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）宣布该公司深受市场欢迎的100mA低压降CMOS线性稳压器添加了采用全新LLP封装的新型号。这款型号为LP5900SD的稳压器不但具有业界最低输出噪声及极高电源纹波抑制比等两个优点，而且静态电流低至只有25μA。

　　LP5900SD芯片最适用于模拟及射频信号路径集成电路，可为低噪声放大器、压控振荡器、射频接收器、图像传感器以及显示器提供稳压供电。

　　由于LP5900SD芯片无需外加旁路电容器，因此只产生6.5uVRMS的极低噪声。LP5900SD芯片的电源抑制比（PSRR）高达85dB。由于这款芯片内部产生的噪声极低，而且电源抑制比极高，因此最适用于高灵敏度的模拟及射频负载，是这类电路最理想的电源管理解决方案。

　　LP5900SD芯片除了采用micro SMD封装之外，还有2.20mm x 2.50mm x 0.8mm的6引脚小型LLP封装可供选择。由于LP5900SD芯片只需0.47uF的输入及输出电容也可稳定操作，因此加设两个小型陶瓷芯片形电容器便已足够。此外，由于这款芯片具备以下几个特殊的优点，例如封装小巧、无需加设旁路电容器以及只需采用两个小型陶瓷芯片形电容器，因此占用电路板极少的空间，有助降低物料成本。

　　LP5900SD线性稳压器主要技术规格：

　　·6.5uVrms的全球最低噪声，加上电源抑制比高达 85dB，因此可确保信号完整无缺

　　·25uA的极低静态电流，有助于延长便携式电子产品的电池寿命

　　·80mV的极低压降，因此可以利用最低的供电电压进行稳压，有助于提高系统效率

　　·在整个线路/负载/温度范围内，输出电压准确度都可保持在 +/-2% 之内，确保信号路径元件获得稳定的供电，以便发挥最高的性能

　　·采用无铅的6引脚LLP封装，并且只需另外加设两个0.47uF的陶瓷电容器，因此占用电路板极少的空间，有助于降低物料成本。

　　LP5900SD芯片有1.5V、1.8V、2.0V、2.2V、2.5V、2.7V、2.8V、3.0V及3.3V等多个输出电压可供选择。这款芯片还具备1.5V至3.3V电压范围之外的其他电压可供选择，有关详情可直接洽询美国国家半导体的营业办事处。